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NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6“ 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。