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NMC-4000PAMOCVD等離子輔助MOCVD：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、 250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制，*的安全

NMC-3000 PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制。

NMC-4000（M）PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制。

NMC-4000（A）全自動PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制。