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NPE-4000PECVD等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)：能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到Z大可達12“ 直徑的基片上.采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體。

NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，具有分形氣流分布優(yōu)勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，具有分形氣流分布優(yōu)勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，具有分形氣流分布優(yōu)勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。