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NRE-4000（ICPA）全自動ICP刻蝕系統(tǒng)：自動上下載片，帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NDR-4000（M）DRIE深反應(yīng)離子刻蝕：是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8“ ICP源。系統(tǒng)配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。

NDR-4000（A）全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕：全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8“ ICP源。系統(tǒng)配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕系統(tǒng)：是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。