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NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。

NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6“ 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。

NSC-1000磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，Z大可支持到2個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

NSC-3000（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，Z大可支持到3個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

NSC-3000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)：臺(tái)式自動(dòng)系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，Z大可支持到3個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。