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NIE-3500（R）RIBE反應離子束刻蝕：可以用于光柵刻蝕，SiO2二氧化硅、Si 硅以及金屬等的深槽刻蝕。此外，還可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。系統(tǒng)可以兼容反應氣體以及非反應氣體，比如Ar，O2，CF4，Cl2等。

NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕：是一款手動放片/取片，但工藝過程為全自動計算機控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。

NIE-3500（A）全自動IBE離子束刻蝕：是一款自動放片/取片，并且工藝過程為全自動計算機控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。

NIE-3000IBE離子束刻蝕：是一款手動放片/取片，但工藝過程為全自動計算機控制的臺式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑等。

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。